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jueves, 4 de diciembre de 2014

2N1131: Transistor de silicio PNP de baja potencia Hoja de datos, Datasheet y Reemplazos

Transistor de silicio PNP de baja potencia.
Encapsulado: TO-39.
Reemplazos, substitutos o equivalentes: 2N2904; 2N2904A; 2N2905; 2N2905A; BC161; BC303; BC304; SK3466 y NTE129.

Nº de Pata
Descripción
(español)
Descripción
(inglés)

1
Emisor
Emitter
2
Base
Base
3
Colector (conectado a la carcasa)
Collector



 


Regímenes máximos absolutos a TA = 25ºC.
Símbolo
Parámetro
Valor
VCBO
Tensión colector-base
-50 V
VCEO
Tensión colector-emisor
-40 V
VEBO
Tensión emisor-base
-5 V
IC
Corriente de colector
-600 mA
PTOT
Disipación total
0,6 W (TC = 25ºC)
Tj
Temperatura de juntura
-65 a +200ºC
Tstg
Temperatura de almacenamiento
-65 a +200ºC
  
Características eléctricas a TA = 25ºC.

Símbolo
Parámetro
Condición
Valor
Unidad
Mínimo
Típico
Máximo
ICBO
Corriente de corte de colector
IE = 0 A;
VCB = -60 V


-20
µA
ICER
Corriente de corte de colector
RBE ≤ 10 W;
VCE = -50 V


10
mA
IEBO
Corriente de corte de emisor
VEB = -5 V;
IC = 0 A


-100
µA
hFE
Ganancia de CC
VCE = -10 V;
IC = -150 mA
20

45

hFE
Ganancia de CC
VCE = -10 V;
IC = -5 mA
15



VCE (sat)
Tensión de saturación colector a emisor
IC = -150 mA;
IB = -15 mA


-1,3
V
VBE (sat)
Tensión de saturación base a emisor
IC = -150 mA;
IB = -15 mA


-1,5
V
Cob
Capacitancia de salida
VCB = -10 V;
IE = 0 A;
f = 1 MHz


45
pF
hfe
Ganancia de corriente en altas frecuencias
VCE = -5 V;
IC = -1 mA;
f = 1 kHz
15

50

hfe
Ganancia de corriente en altas frecuencias
VCE = -10 V;
IC = -5 mA;
f = 1 kHz
20



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