2N1131: Transistor de silicio PNP de baja potencia Hoja de datos, Datasheet y Reemplazos

Transistor de silicio PNP de baja potencia.

Encapsulado: TO-39.

Reemplazos, substitutos o equivalentes: 2N2904; 2N2904A; 2N2905; 2N2905A; BC161; BC303; BC304; SK3466 y NTE129.

Nº de Pata	Descripción (español)	Descripción (inglés)
1	Emisor	Emitter
2	Base	Base
3	Colector (conectado a la carcasa)	Collector

 

Regímenes máximos absolutos a T_A = 25ºC.

Símbolo	Parámetro	Valor
VCBO	Tensión colector-base	-50 V
VCEO	Tensión colector-emisor	-40 V
VEBO	Tensión emisor-base	-5 V
IC	Corriente de colector	-600 mA
PTOT	Disipación total	0,6 W (TC = 25ºC)
Tj	Temperatura de juntura	-65 a +200ºC
Tstg	Temperatura de almacenamiento	-65 a +200ºC

  

Características eléctricas a T_A = 25ºC.

Símbolo	Parámetro	Condición	Valor			Unidad
			Mínimo	Típico	Máximo
ICBO	Corriente de corte de colector	IE = 0 A; VCB = -60 V			-20	µA
ICER	Corriente de corte de colector	RBE ≤ 10 W; VCE = -50 V			10	mA
IEBO	Corriente de corte de emisor	VEB = -5 V; IC = 0 A			-100	µA
hFE	Ganancia de CC	VCE = -10 V; IC = -150 mA	20		45
hFE	Ganancia de CC	VCE = -10 V; IC = -5 mA	15
VCE (sat)	Tensión de saturación colector a emisor	IC = -150 mA; IB = -15 mA			-1,3	V
VBE (sat)	Tensión de saturación base a emisor	IC = -150 mA; IB = -15 mA			-1,5	V
Cob	Capacitancia de salida	VCB = -10 V; IE = 0 A; f = 1 MHz			45	pF
hfe	Ganancia de corriente en altas frecuencias	VCE = -5 V; IC = -1 mA; f = 1 kHz	15		50
hfe	Ganancia de corriente en altas frecuencias	VCE = -10 V; IC = -5 mA; f = 1 kHz	20